TH- 快充整流桥相比传统充电器的优势是体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
TH- 快充,基本上不能叫恒流,充电过程电流是不断变化的,整个充电过程是由手机端控制,根据容量,温度即时控制充电电流的大小。 一般先是从低容量的小电流慢慢充一小段时间,然后是中段大电流快充,经过一段大电流充电过后容量达到90%后又转为小电流，随着充满程度，电流越来越小到0电流。
TH- 这些系列的都是迷你小体积的，贴片类型的整流桥，尺寸都很小的，具体的数据要看规格书上的参数