单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kQ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kN左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量。测量二极管时，应将测试表的NPN/PNP选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的C插孔内，负极插入测试表的e插孔，然后按下V（BR）键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。