-TH 肖特基二极管是以发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写，不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。
-TH 由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
-TH 肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15-0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。还有一个是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。