-TH 场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数: 4. 栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
-TH MOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。