TH- 整流桥在电路中也是非常常见的一种器件,特别是220V供电的设备中,由于220V是交流电,我们一般使用的电子器件是弱电,所以需要jiang压整流
TH- 快充整流桥相比传统充电器的优势：充电。氮化的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
TH- 快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。