TH- 快充和闪充都是给电池加快充电速度的技术，只不过技术原理上略有不同。快充无非是加大了充电的功率。在电池容量一定的情况下，增加功率可以减少充电时间，功率越大，充电时间才会越短。闪充温度较低，快充温度较高。
TH- 快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。
TH- 桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点
