膜电容内部构成方式：以金属箔片作为电极板，以塑料作为电介质，通过绕卷或层叠工艺而得，当然箔片和薄膜的不同排列方式又衍生出了多种构造方式。
薄膜电容器无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异，而且介质损失很小，因此薄膜电容器被大量使用在模拟电路上，尤其是在信号交连的部分，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。
金属膜电容器里有一种电容器称之为CBB81，是金属膜电容器中属于高压类型，电压类型一般有1000V、1250V、1600V、2000V等几种，电容量范围一般为0.001~0.018uF之间，当然也可以定制，而误差一般为J(5%)或K(10%)两种。