-Lw MOSFET（场效应管）的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ，主要看型号和参数可以了解AMS1117-ASEMI
-Lz MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关 电路。AMS1117-ASEMI
-Ls 首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。AMS1117-ASEMI