-Ln 普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管MUR560D-ASEMI
-Lw MOSFET(场效应管)的主要参数: 3. 漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ,主要看型号和参数可以了解MUR560D-ASEMI
-La 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。MUR560D-ASEMI