半导体膜厚仪的磁感应测量原理是基于磁通和磁阻的变化来测定半导体材料上薄膜的厚度。在测量过程中，仪器利用测头产生磁通，这些磁通经过非铁磁覆层（即半导体薄膜）流入到铁磁基体。由于磁通的流动受到薄膜厚度的影响，因此通过测量磁通的大小，我们可以推断出薄膜的厚度。具体来说，当薄膜较薄时，磁通能够较为容易地穿过薄膜流入铁磁基体，此时测得的磁通量相对较大。相反，随着薄膜厚度的增加，磁通在穿过薄膜时受到的阻碍也会增大，导致流入铁磁基体的磁通量减小。因此，通过对比不同厚度下磁通量的变化，我们可以确定薄膜的厚度。此外，磁感应测量原理还可以通过测定与磁通相对应的磁阻来表示覆层厚度。磁阻是表示磁场在物质中传播时所遇到的阻碍程度，它与磁通的大小成反比。因此，覆层越厚，磁阻越大，磁通越小，这也是磁感应测量原理能够准确测定薄膜厚度的关键所在。总的来说，半导体膜厚仪的磁感应测量原理是一种基于磁通和磁阻变化来测定薄膜厚度的有效方法。这种方法具有高精度、高分辨率和高灵敏度等特点，在半导体制造业中具有广泛的应用前景。