半导体测厚仪，特别是像E+H Metrology的MX 30系列这样的高精度设备，其测量厚度范围广泛，可以满足多种不同尺寸的晶圆测量需求。这类测厚仪通常用于测量SIC、GaN、GaAS、InP等半导体晶圆的厚度。具体来说，MX 30系列非接触式单点晶圆测厚仪，例如MX 301型号，能够测量直径为50mm、75mm、100mm、150mm、200mm和300mm的晶圆。其厚度范围根据晶圆直径的不同而有所差异。例如，对于无框晶圆，其测量范围可能是200\~1000μm或300\~1800μm；而对于镶框晶圆，测量范围可能达到0\~1100μm。测量精度方面，MX 30系列的厚度精度可以达到±0.5μm，分辨率高达10 nm，动态范围达800μm。这样的精度保证了测量结果的准确性和可靠性，满足了半导体行业对高精度测量的需求。总的来说，半导体测厚仪能够测量的厚度范围广泛，具体取决于晶圆的直径和类型。同时，高精度的测量能力使得这类仪器在半导体制造和研发过程中发挥着不可或缺的作用。通过快速、准确地测量晶圆厚度，半导体测厚仪有助于提高生产效率、保证产品质量，并推动半导体技术的不断发展。