由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应,或四氯化1碳与氟化银反应,或四氯1化碳与氟化1氢反应,都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果与浓度有关,包括头1痛、恶心、头昏眼花及心1血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氟化碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定,可以长时间停留在大气层中,是一种非常强大的温室气体。因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物,然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能,键长也是前者短得多,所以四氟化碳的热稳定性更好。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化1硅,随后通过硅胶和五1氧化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子,它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强,因此分离的可能性比较低。四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。
以上信息由专业从事四氟化碳批发的安徽谱纯于2024/7/8 9:47:09发布
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