四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳,为非腐蚀性气体,所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜,铝等金属材料都可以使用。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
四氟化碳的密度比较高,可以填满地面空间范围,在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉,干燥,通风的库房内,严禁曝晒,远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化。
产品经除尘,碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去O2、N2、H2,得到高纯CF4。四氟化碳贮存注意事项:气瓶不得靠近火源,不得受日光曝晒,与明火距离一般应该不小于10米,气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。由碳与氟反应,或与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,都能生成四氟化碳。
以上信息由专业从事高浓度四氟化碳的安徽谱纯于2024/6/19 9:57:19发布
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