四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。
产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。
四氟化碳是一种卤代烃，化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域，可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等离子蚀刻气体。此外，高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。
以上信息由专业从事四氟化碳批发的安徽谱纯于2024/5/14 10:11:04发布
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