导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊,以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。热压法:ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以100kgf/cm2~1000kgf/cm2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
什么是靶材绑定?靶材绑定的适用范围、流程?
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式:压接、钎焊和导电胶。
1.压接:采用压条,一般为了提高接触的良好性,会增加石墨纸、Pb或In皮;
2.钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In-Sn;我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶:采用的导电胶要耐高温,厚度在0.02-0.05um。
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