由表面层和基层组成的半导电辊；该表面层具有较高的电阻值，由橡胶组合物制成；基层具有较低的电阻值，由导电橡胶组合物组成。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。有必要使这两种层的厚度高度准确。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。
镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。材料的纯度对其性能，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作高性能器件。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
超纯金属的制备有化学提纯法如精馏（特别是金属氯化物的精馏及氢还原）、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等（见硅、锗、铝、铟）。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。
由于容器与药剂中杂质的污染，使得到的金属纯度受到一定的限制，只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后，再用物理方法如区熔提纯，才能将金属纯度提到一个新的高度。以往，使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。
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