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山东1N金靶材报价在线咨询 沈阳东创精益求精

来源:东创贵金属 更新时间:2024-06-20 08:26:19

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在使用电子照相方法的打印技术中,已经渐进实现高速打印操作、高质量图像形成、彩色像形成、以及成像装置小型化,并且变得很普遍。色粉一直是这些改进的关键。为满足上述需要,必须形成精细分配的色粉颗粒,使得色粉颗粒的直径均一,并且使得色粉颗粒呈球形。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术,近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技术,已经开发出球形度99%以上的色粉。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。

平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材,利用L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。为满足上述需要,必须形成精细分配的色粉颗粒,使得色粉颗粒的直径均一,并且使得色粉颗粒呈球形。

 溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:

 热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。

以上信息由专业从事1N金靶材报价的东创贵金属于2024/6/20 8:26:19发布

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