导电辊包括导电辊的外层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成、内层由离子导电性聚合物的组合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成的双层导电辊,以及与上述相反的外层由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成、内层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成的双层导电辊。还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后,可获得纯度超过99。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级(10克/克)、毫微克级(10克/克)、微微克级(10克/克)杂质的确定。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能良好。在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
工业上大量使用的是工业纯稀土金属,较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,W/Ti合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度(如提纯钇时为0.4毫米/分),进行多次区熔,对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有明显效果,但对氧、氮、碳、氢无效。此外,电解精炼、区熔-电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。
稀土金属制取(preparation of rare earth metal),将稀土化合物还原成金属的过程。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%~99%,主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂,以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德尔(C.G.Mosander)自1826年先制得金属以来,现已能生产全部稀土金属,产品纯度达到99.9%。钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属 。
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