现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的,其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小,接触面积等)影响较大,手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现,手动测试时只能达到每次测试出来一个数值,无法做产品的分析。各种生产工艺及其特点简介如下:热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm2~2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大,无法测量,导致不能得出的数值,从而不能保证广品的品质。
任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。
由于技术的发展,也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”,广义的杂质是指化学杂质(元素)及“物理杂质”(晶体缺陷),后者是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。
但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准,即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。在传统产业的应用领域中,对于贵金属的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长,甚至出现行业的淘汰而与贵金属无缘,例如照相用胶卷。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。
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