不导电(NCVM)镀膜设备NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术,是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀,简称 vm, 是vacuum metalization的缩写。它是指金属材料在真空条件下,运用化学和物理等特定手段进行有机转换,使金属转换成粒子,沉积或吸附在塑胶材料的表面,形成膜,也就是我们所谓的镀膜。
进口不导电(NCVM)镀膜设备应用于塑料电子产品:手机外壳、手机按键、电脑、数码、电子通信等的表面镀制不导电膜(NCVM)。大功率蒸发系统,可控硅控制,重复性、稳定性高,独有镀透电极设计,配置石英晶振,可控制任何膜层厚度,拥有的工件架技术,转速平稳可调,产量大且良品率高。
离子镀由于是利用高能离子轰击工件表面,使大量的电能在工件表面转换成热能,从而促进了表层组织的扩散作用和化学反应。然而,整个工件,特别是工件心部并未受到高温的影响。因此这种镀膜工艺的应用范围较广,受到的局限性则较小。通常,各种金属、合金以及某些合成材料、绝缘材料、热敏材料和高熔点材料等均可镀复。即可在金属工件上镀非金属或金属,也可在非金属上镀金属或非金属,甚至可镀塑料、橡胶、石英、陶瓷等。
PVD镀膜技术其功应用,主要是装饰镀膜和工具镀膜。对于帮助企业产品提升产品的耐磨性、耐腐蚀性和保持化学稳定性等特点,可谓功不可没。
与化学吸附自限制过程不同,顺次反应自限制原子层沉积过程是通过活性前驱体物质与活性基体材料表面化学反应来驱动的。这样得到的沉积薄膜是由于前驱体与基体材料间的化学反应形成的。图a和b分别给出了这两种自限制反应过程的示意图。由图可知,化学吸附自限制过程的是由吸附前驱体1(ML2)与前驱体2(AN2)直接反应生成MA原子层(薄膜构成),主要反应可以以方程式⑴表示。对于顺次反应自限制过程首先是活化剂(AN)活化基体材料表面;然后注入的前驱体1(ML2)在活化的基体材料表面反应形成吸附中间体(AML),这可以用反应方程式⑵表示。反应⑵随着活化剂AN的反应消耗而自动终止,具有自限制性。当沉积反应前驱体2(AN2)注入反应器后,就会与上述的吸附中间体反应并生成沉积原子层。以上信息由专业从事纳米真空镀膜的菱威纳米于2024/6/16 12:16:15发布
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