公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS 管本身有着诸多优势，但同时MOS管具备较敏感的短时过载能力，特别是在高频率的运用场景，因此在运用功率 MOS 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少，由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况，以此来控制漏极电流。在管子制造时，通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子，所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷，高渗杂质的N区被这些负电荷接通，导电沟道也就形成了，即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时，沟道里的被感应电荷量也会发生改变，导电沟道中的宽窄也会随着改变，因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
判定栅极
用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极，红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小，说明两者都是正向电阻，该管属于是N沟道的场效应管，黑表笔接触的一样也是栅极。
制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ，可以互相交换使用 ，并不会影响电路的使用，电路此时也是正常的，所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的，而且栅源之间的极间电容又是非常小的，测量的时候只要有少量电荷，就可以在极间电容上面形成极高的电压，管子将很容易损坏。
以上信息由专业从事大电流mos万芯半导体的炫吉电子于2024/7/16 8:42:40发布
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