一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管即可用于放大电流,又可以作为可变电阻,还能用作电子开关,现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中,MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型N沟通MOS管,厂家可以用一个电压来控制G的电压。
基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器,比较器的输出经过电阻上拉后接G脚,如果控制电压比参考电压高,则控制MOS管导通输出电流。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
伴随着科技的不断发展,电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步,为商品选择更为合适的电子元器件,才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件,因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。
在mos管的型号选择方法中,从结构形式(N型或是P型)、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌,应对不一样的产品运用,要求也跟着不一样,下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。
以上信息由专业从事中低压mos万芯半导体的炫吉电子于2024/7/16 12:23:59发布
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