公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。
MOSFET管有两个电极，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOSFET管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、P沟道和N沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的N沟道和增强型的P沟道MOS管，因此一般情况下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是这两种。
针对这两种增强型的MOS管，其中较为普遍使用的是NMOS —— 原因是增强型的N沟道MOS管的导通电阻更小，并且生产简便，因此在开关电源和电机驱动的运用中，我们一般使用增强型的N沟道MOS管。
MOS管的三个管脚中有寄生电容的存在，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，其中还没有解决的办法能避免。
在MOS管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动感性负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的MOS管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。
电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是一种流控型器件，MOS管是压控型器件，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中，MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压，工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说，MOS管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时，流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片：一般范围在0到+70℃；
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；
军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；
在进行MOS管选型时，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如，MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。
以上信息由专业从事mos万芯半导体的炫吉电子于2024/6/18 8:39:06发布
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