发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
就目前的半导体行业发展来说,MOS管是作为半导体行业里基础的器件之一,无论是在集成电路设计里,还是在板级电路的应用上都是十分广泛的。目前尤其是在大功率半导体行业里,各种结构不同种类的MOS管更是发挥着不可i替代的作用。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
mos管有的时候也称作绝缘栅场效应管,因为它归属于场效应管中的绝缘栅型,全名是金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,是一种能够普遍应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。依据其“通道”(工作载流子)的极性差异,可分成“N型”与“P型”的两个类型,也就是常说的Nmos、Pmos。
以上信息由专业从事万芯mos管价格的炫吉电子于2024/7/17 11:04:50发布
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