MOS管FET栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少，由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况，以此来控制漏极电流。在管子制造时，通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子，所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷，高渗杂质的N区被这些负电荷接通，导电沟道也就形成了，即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时，沟道里的被感应电荷量也会发生改变，导电沟道中的宽窄也会随着改变，因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
做电源电路，或是做推动领域的电源电路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。
不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点，不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。
以上信息由专业从事WPmos管价格的炫吉电子于2024/7/10 9:30:37发布
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