公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。
MOS管失效的两个主要原因:
电压失效:即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压,达到一定容量,造成MOS管失效。
栅电压故障:栅极遭受异常电压尖峰,造成栅氧层故障。
雪崩破坏到底是什么?简单地说,MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之,即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值,并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。
造成栅电压异常高的主要原因有三个:生产、运输和装配过程中的静电;设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振;在高压冲击时,高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
伴随着科技的不断发展,电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步,为商品选择更为合适的电子元器件,才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件,因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。
在mos管的型号选择方法中,从结构形式(N型或是P型)、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌,应对不一样的产品运用,要求也跟着不一样,下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。
以上信息由专业从事中低压mos万芯半导体的炫吉电子于2024/5/7 13:22:51发布
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