公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
半导体工艺制程不断缩小,MOS器件尺寸随之不断减小,当达到纳米级别后,受功耗密度、散热效率等因素影响,传统MOS器件出现一系列性能问题,性能与可靠性会退化,无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线MOS器件具有优良的栅控能力,在保持性能与可靠性方面更具优势,且具有良好的CMOS工艺兼容能力,因此成为MOS器件的重要发展方向。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
分辨MOS管优劣的办法有二种:
一种:定性分辨MOS管的优劣
先用万用表R×10kΩ挡(内嵌有9V或15V充电电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表标示值若为几欧母,则表明MOS管是好的。
第二种:定性分辨结型MOS管的电级
将万用表拨至R×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更显著的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,其他二脚分别是源极和漏极。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
跟双旋光性晶体三极管对比,一般觉得使MOS管导通不用电流量,只需要GS电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易,我们主要是需要一定的速率。
对于MOS管的结构来说,我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了,由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路,这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计MOS管驱动电路方案的时候,首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。
电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,MOS管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压,工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说,MOS管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时,流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行MOS管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。
以上信息由专业从事中低压mos厂家的炫吉电子于2024/7/5 8:50:43发布
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