一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
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分辨MOS管优劣的办法有二种:
一种:定性分辨MOS管的优劣
先用万用表R×10kΩ挡(内嵌有9V或15V充电电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表标示值若为几欧母,则表明MOS管是好的。
第二种:定性分辨结型MOS管的电级
将万用表拨至R×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更显著的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,其他二脚分别是源极和漏极。
以上信息由专业从事大电流mos价格的炫吉电子于2024/7/6 8:25:41发布
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