公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
MOS管失效的两个主要原因：
电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。
栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。
雪崩破坏到底是什么？简单地说，MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。
造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。
以上信息由专业从事3080mos厂家的炫吉电子于2024/4/27 9:16:36发布
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