名称：氧化镁（MgO)
必须使用电子枪蒸发因该材料升华，坚硬耐久且有良好的紫外线（UV）穿透性，250nm时n=1.86，190nm时n=2.06， 166nm时K值为0.1， n=2.65。可用作紫外线薄膜材料。MGO/MGF2膜堆从200nm---400nm区域透过性良好，但膜层被限制在60层以内（由于膜应力）500nm时环境基板上得到n=1.70。由于大气CO2的干扰，MGO暴露表面形成一模糊的浅蓝的散射表层，可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。 次数用完API KEY 超过次数限制
氟化钍
名称：氟化钍（ThF4）
260-12000nm以上的光谱区域，是一种低折射率材料，在可视光谱区N从 1.52降到1.38（1000nm区域）在短波长趋近于1.6，蒸发温度比MGF2低一些，通常使用带有凹罩的舟皿以免THF4良性颗粒火星飞溅出去，而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加坚固.该膜在IR光谱区300NM小水带几乎没有吸收，这意味着有望得到一个低的光谱移位以及更大的整体坚固性，在8000到12000NM完全没有材料可以替代. 次数用完API KEY 超过次数限制
二氧化硅
名称： 二氧化硅（SiO2）
经验告诉我们，氧离子助镀（IAD)SiO将是SiO2薄膜可再现性问题的一个解决方法，并且能在生产环境中以一个可以接受的高速度蒸着薄膜.
SiO2薄膜如果压力过大，薄膜将有气孔并且易碎，相反压力过低薄膜将有吸收并且折射率变大，需要充分提供高能离子或氧离子以便得到合乎需要的速度和特性
SiO2用于防反膜，冷光膜，滤光片，绝缘膜，眼镜膜，紫外膜.
透光范围（nm) 折射率（N) 550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量
200--2000 1.46 1800-2200 电子枪，防反膜，增透 少，升华
无色颗粒状，折射率稳定，放气量少,和OS-10等高折射率材料组合制备截止膜，滤光片等. 次数用完API KEY 超过次数限制
以上信息由专业从事pe收缩膜厂家的致欣环保于2024/7/6 11:04:48发布
转载请注明来源：http://m.tz1288.com/qynews/xmszxhb-2781578251.html
上一条：细沙回收机报价服务介绍「多图」
