热敏电阻（Thermistor）是一种传感器电阻，其电阻值随着温度的变化而变化，其体积随温度的变化比一般的固定电阻要大很多。组成热敏电阻的材料一般是陶瓷或聚合物，在有限的温度范围内能实现较高的精度，通常是-90℃~130℃。和热敏电阻类似的有使用纯金属（RTD）制作的电阻温度计，适用于较大的温度范围。
假设温度和电阻的变化为线性，热敏电阻和温度之间有关系式：
∆R=K∆T
其中，K称为温度系数，热敏电阻根据温度系数K分为两类：
K为正值，电阻值随着温度的升高而增大，称为正温度系数热敏电阻（PTC）；
K为负值，电阻值随着温度的升高而减小，称为负温度系数热敏电阻（NTC）
PTC热敏电阻
PTC（是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料．其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化
钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）．对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒．当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小．当温度升高到居里点温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应．钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释．
实验表明，在工作温度范围内，PTC热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：
RT=RT0expBp（T-T0）
式中RT、RT0表示温度为T、T0时电阻值，Bp为该种材料的材料常数．
PTC效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生显著变化．近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，这是体型且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加
CTR热敏电阻
临界温度热敏电阻CTR（Crit1Cal Temperature Resistor）具有负电阻突变特性，在某一温度下，电阻值随温度的增加激剧减小，具有很大的负温度系数．构成材料是钒、钡、锶、磷等元素氧化物的混合烧结体，是半玻璃状的半导体，也称CTR为玻璃态热敏电阻．骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变．这是由于不同杂质的掺入，使氧化钒的晶格间隔不同造成的．若在适当的还原气氛中变成二氧化钒，则电阻急变温度变大；若进一步还原为三氧化二钒，则急变消失．产生电阻急变的温度对应于半玻璃半导体物性急变的位置，因此产生半导体-金属相移．热敏电阻器温度计的精度可以达到0.1℃，感温时间可少至10s以下．它不仅适用于粮仓测温仪，同时也可应用于食品储存、卫生、科学种田、海洋、深井、高空、冰川等方面的温度测量
NTC热敏电阻的电阻值会随着温度的升高而下降。热敏电阻电阻值的每度变化量亦是如此。对于温度较低的应用（-55到约70°C），通常使用电阻较低的热敏电阻（2252到10,000Ω）。对于温度较高的应用，则通常使用电阻较高的热敏电阻（10,000Ω以上），以优化所需温度下每度的电阻变化。热敏电阻有多种“电阻和温度关系曲线”可供选择。电阻值通常在25°C（77°F）的温度下测定。
电阻和温度关系曲线
热敏电阻的线性与RTD和热电偶不同，热敏电阻的电阻与温度特性或曲线没有相关标准。查看热敏电阻的电阻值与温度对照相关内容因此会有许多不同的规格供选择。
每种热敏电阻材料具有不同的电阻与温度“特征曲线”。一些材料具有更好的稳定性，而其他材料具有更高的电阻，因此可以制造出更大或更小的热敏电阻。
许多制造商会列出两个温度之间的Beta（B）常数（例如：3 0/50 = 3890）。这与25°C（77°F）温度下的电阻一起可用于确定特定的热敏电阻特征曲线。请参阅此网页了解OMEGA的热敏电阻特征曲线。
以上信息由专业从事负温度系数热敏电阻厂家的至敏电子于2024/8/4 6:34:08发布
转载请注明来源：http://m.tz1288.com/qynews/zhimingdz-2796185869.html
下一条：武汉奠基石来电咨询「多图」
