碳化硅出炉偏碳特点：结晶细小呈针状并夹杂炭粒，SiC分解石墨层增厚，炉电阻减小，工作电拔高，电流大。

　　碳化硅出炉偏碳的原因：是搅拌时混料不均，导致局部碳过量。炉芯表面负荷小，或送电时间短，使分解层减薄，硅蒸气少。炉料配比碳过量。碳素原料粒度过粗，冶炼时未完全反应，呈粒状遗留在细晶块中，呈现碳冒。

　　碳化硅出炉偏碳的解决方法：可适当增加冶炼功率，以增加石墨分解层厚度，给结晶层增加硅蒸气，增加搅拌时间，使其混料均匀。

重结晶碳化硅与反映烧结碳化硅的区别

反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅在制作过程中主要的区别是使用温度不同， 反应烧结1300度左右，重结晶1600度左右， 工艺大体基本相同，就是烧结方式不同，反应烧结渗硅烧结温度低，重结晶烧结温度高，不超过使用温度的情况下反应烧结比重结晶抗弯强度高。替代进口技术据了解，项目的***技术在半导体器件及模块研发、制作方面技术***，具有市场竞争力优势。大家在应用这些材料的时候可以参考这些，大家在生活中对这些材料有需要就联系我们吧。

碳化硅的外观颜色除与晶体本身的色泽有关外还与自然光在晶体表面薄膜的干涉现象有关。现在越来越多的技术运用已经从进口转换成国产化，正如很多人国产手机一样，碳化硅半导体芯片越来越占有自主地位。当碳化硅晶体表面的氧化硅薄膜厚度不同时，或对光线的反射角度不同时，碳化硅晶体表面的呈色亦名不相同。因此在自然光下常常看到碳化硅具有绚丽多彩的色泽。作为耐火材料的碳化硅主要是黑碳化硅，因为黑碳化硅和绿碳化硅相比，黑碳化硅韧性稍高，另外也由于价格低的缘故。