碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢?
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅(SiC)是目前发展成熟的宽禁带半导体材料,对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性:
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍,碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏,且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
第二: 碳化硅发展不足之处:
1.碳化硅粒度砂、微粉产品质量方面,我国产品与国际水平存在一些差距。主要表现在:生产的种类,生产的某些产品的指标,质量方面,使用效能方面都不太稳定。
2.大力保护环境:对于生产碳化硅酸碱洗过程中,要排放一些含酸、含碱废液,对土壤和地下水造成严重污染也是一个需要更好处理的问题。
3.要有完善健全的企业生产管理体系:主要表现在某些企业生产管理执行力差,造成高成本,低产量现象的出现。
当然每件事物发展过程中都会有优也有缺,只要积极努力的去改善,国内碳化硅产业会发 展的更加稳固,。
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