碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。

碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？

一、碳化硅器件的优势特性

碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

2、高频特性

3、高温特性

  碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

  碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。

     碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅为稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至今日，这两种型态尚未有商业上之应用。

因为碳化硅的广泛用途，奠定了碳化硅的发展基础，尤其是不同规格的碳化硅，因此可以被加工生产成不同系列的产品，因此得到广泛的认可。特别是碳化硅在耐火材料行业中的应用也不容忽视。

     碳化硅的优点有：强度高，导热系数大、抗震性好、化、耐磨损、抗侵蚀等优良的高温性能，是一种耐火材料。

      起初的碳化硅耐火材料以粘土、ＳｉＯ２、硅酸盐、莫来石等为结合剂，随着高科技手段的应用，新型碳化硅制品得到广泛开发。如：氮化硅结合碳化硅、氮氧化硅结合碳化硅、反应烧结碳化硅、重结晶碳化硅、渗硅法碳碳化硅等碳化硅材料。它们的高温性能更加优良，从而使碳化硅耐火材料不断进入新的应用领域。