碳纳米管具有良好的导电性能,由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同,所以具有很好的电学性能。理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角。当CNTs的管径大于6nm时,导电性能下降;当管径小于6nm时,碳纳米管 导电 CNTs 可以被看成具有良好导电性能的导线。有报道说Huang通过计算认为直径为0.7nm的碳纳米管具有超导性,尽管其超导转变温度只有1.5x10—4K,但是预示着碳纳米管在超导领域的应用前景。
硅是传统的半导体材料。长期以来,整个半导体产业遵循摩尔定律,不断缩小晶体管尺寸以提升其性能。而业界认为,摩尔定律将在2020年左右达到终点,即硅材料晶体管的尺寸将无法再缩小,芯片的性能提升已经接近其物理极限。在此背景下,人们一直在寻找能够替代当前硅芯片的材料,碳纳米管就是主要的研究方向之一。美国斯坦福大学、IBM公司的研究人员都在致力于该领域的研究。国际半导体技术发展路线图近年来多次引用团队的工作,来证明碳纳米管是一个重要的出路。
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