层析介质的清洗介绍

在生物的生产过程中，层析技术是关键的步骤之一。生物通过培养，收集，经过层析介质的纯化，终得到符合要求的生物产品。

在生物制药的分离纯化过程中，培养的物料通过层析介质分离纯化，得到符合要求的目标产品。同时，物料中的杂质也污染了层析介质。这些污染物包括：宿主的蛋白（HCP）、核酸、脂类，培养过程中的代谢产物、内、杂菌，产品聚体，降解片段以及所用试剂中的杂质等。

这些污染物在下一次的分离纯化中将污染目标产品。所以必须去除或将其降低到安全水平。这就是我们所提到的层析介质的清洗 (CIP) 过程。

电子气体中金属杂质的捕集

电子工业用气体统称电子气体，指在半导体及其它电子产品生产过程中所用到的高纯度气体，是微纳电子制造国家安全战略产业的关键支撑材料，其广泛应用于大规模集成电路、液晶显示器、多晶硅和薄膜太阳能电池、新型电光源、光电半导体器件以及光纤通讯器件等电子行业 [1] [2] [3]。表1为一些电子工业生产中所常用到的高纯气体 [3]。

近年来，随着微纳电子***制程向大尺寸、窄线宽、高集成度、高均匀性和高完整性发展，对电子气体的纯度和一致性要求越来越高，除了应具有5 N (99.999%)以上纯度，还要求电子气体中的H2O、气体杂质(如O2、CO2、CO、CH4等)和金属杂质(如Al、Cr、Cd、Cu等)的指标达到ppb (10?9)至ppt (10?12)数量级，气体的品质要求高度稳定且一致。电子气体的纯度对于半导体器件的质量与成品率影响很大，尤其是气体中的金属杂质，是使半导体产生漏电、晶格缺陷和断线的主要原因

原子吸收光谱(AAS)

原子吸收光谱法( 简称AAS)是基于待测元素的基态原子蒸汽对其特征谱线的吸收，由谱线的特征性和信号强度对待测元素进行定性和定量分析的一种常用分析方法。该分析方法主要有四种类型：火焰原子吸收光谱分析法、石墨炉原子吸收光谱分析法、蒸汽发生原子吸收光谱分析法和流动注射原子吸收光谱分析法。其中，以前两种分析方法为常用

电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)

电感耦合等离子体原子发射光谱(, 简称ICP-AES)是以电感耦合等离子体为激发光源，使样品中各成分的原子被激发并发射出特征谱线的光，再根据特征谱线的波长和强度来确定样品中所含的化学元素及其含量的一种分析技术 [14]。

ICP-AES主要应用于金属元素分析，而对于非金属元素的测定灵敏度较差。其仪器检出限为10?9~10?7 g/mL，一般元素都存在灵敏度不同的多条谱线，动态线性范围约为4~6个数量级，故非常适合测试基体复杂、元素含量范围变化大、要求测定元素多和批量大的试样 [15]。ICP-AES的主要优缺点列于表3。

郑秋艳等 [17] 采用ICP-AES测定了高纯WF6中Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg、Ca、Na、K、Pb及Mo等金属元素的含量。由于WF6极易与空气中的水分发生反应，为此设计了一套与空气隔离的密闭取样系统。在装有待测金属元素的取样器内，先后加入氨水、硝酸、使其溶解并定容，将待测溶液进行ICP-AES分析。结果显示，各元素的检出限均小于0.005 mg/L，方法的回收率在90.5%~104.2%之间，测定值的相对标准偏差为3.2%~7.8%。