利用压控振荡器来控制频率

高频压控振荡器的电压控制频率部份, 通常是用变容二极管C 与电感 L, 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压, 二极管内的空泛区会加大, 两导体面之距离一变长, 电容就降低了, 此 LC 电路的谐振频率, 就会被提高. 反之, 降低逆向偏压时, 二极管内的电容变大, 频率就会降低.

而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法，例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。

晶体谐振器的主要技术指标介绍

标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的

频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。

调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。

负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

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压控振荡器的性能及优势

集成基波振荡器，因此器件中的任何乘法效应不会生成次谐波信号音缩短VCO频段之间的切换时间，且不会导致电压过冲低电源电流功耗（低至60mA典型值）与传统单频段宽带VCO相比，调谐电压更低，以及更窄的灵敏度频率比，从而降低环路滤波器设计的复杂性采用40引脚6x6mm LFCSP SMT封装