串联型晶体振荡器的类型与电路的振荡过程

因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。

接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。

晶体振荡器的振荡器频次

振荡电路中，一个晶体管和一个线圈 - 电容由连接的组合是电路依赖振荡条件（哈特莱振荡器的Colpitts振荡器电路，等等）。在这些电路中，当将晶体谐振器连接到需要线圈作为振荡条件的部分时，可以获得固有频率的振荡输出。该频率可以很容易地以10 6的数量级获得，因此被广泛用作频率和时间的参考。

由于晶体的大小，许多实际使用的晶体振荡器约为1-20 MHz。当需要更高的频率时，将执行泛音振荡（或可将用于高频的晶体单元用于泛音），或者使用倍频器。

由于晶体单元的振荡频率本身是由晶体单元的特性决定的，因此基本上不能改变。因此，在无线通信等中，可以采用根据所使用的频率来更换晶体单元的方法。然而，通过调整外部电容，±0几个％是约并应用此可能微调VXO（可变晶体振荡器），以允许电压控制将被替换为可变电容二极管的电容的VCXO（压控晶体振荡器，VCXO）具有电路，例如。此外，晶体振荡器和电压控制振荡器，一个数字电路，由于计数器组合电路和相位比较器等的频率合成器通过，所以能够获得任意的频率稳定的输出信号。

晶体振荡器的指标

在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的较大偏差。

说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的较大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。