光刻工艺重要性二

光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

NR77-20000PYNR75 1000HP光刻胶报价

光刻胶存储条件及操作防护

光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后***清洗。

个人防护

眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。

皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。

服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。

呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循中国职业安全健康管理局标准的规定和ANSI美国***学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN 149的标准。

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成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司

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使命

目标

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策略

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工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能

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工艺减化

非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定

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