光刻胶市场

***光刻胶市场扩增，对光刻胶的总需求不断提升。据估计，2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元，其中PCB光刻胶占比24.5%，LCD光刻胶占26.6%，半导体光刻胶占比24.1%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15。2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%；据中国产业信息网数据，2015年，PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

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2,涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm   胶膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。

烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。