光刻胶工艺

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。光刻胶介绍光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体***材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

光刻胶国际化发展

业内人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。A美国光刻胶，Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。相关部门要加大产业政策的配套支持力度，应从加快完善整个产业链出发，定向梳理国内缺失的、产业依赖度高的关键***电子化学品，要针对电子化学品开发难度高，检测设备要求高的特点，组织汇聚一些优势企业和，形成一个产业联盟，国家建立一个生产应用平台，集中力量突破一些关键技术。

江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。“假如我们把光刻机比作一把菜刀，那么光刻胶就好比是要切割的菜，没有高质量的菜，即使有了锋利的菜刀，也无法做出一道佳肴。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。而作为生产光刻胶重要的色浆，至今依赖日本。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就无期。因此，必须通过科研单位、生产企业的协同创新，尽快取得突破。

有提出，尽管国产光刻胶在面板一时用不起来，但还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。只有在应用过程中才能发现问题，解决问题，不断提升技术、工艺与产品水平，实现我国关键电子化学品材料的国产化，完善我国集成电路的产业链，满足国家和重点产业的需求。

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四、前烘（Soft Bake）

完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。LCD市场助力***LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。

在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

曝光时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在曝光后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）