***市场

目前，光刻胶单一产品市场规模与海外巨头公司营收规模相比较小，光刻胶仅为大型材料厂商的子业务。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。

由于光刻胶产品技术要求较高，中国光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，其***技术基本被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公司，包括陶氏化学、JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。

而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体***材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中***的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(<13.5nm)线水平。光刻工艺重要性二光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶***技术基本被日本和美国企业所垄断。

NR9-3000PYNR9 8000光刻胶公司

三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。随着LCD出货面积的持续增长，中国产业信息网预测，未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。

NR9-250P

20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？

A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip

on glass 上的胶粘剂。

21．是否有Wax替代品？

A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。

22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？

A 有，IC1-200就是

23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？

A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。

24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？

A 1 需要知道要涂在什么材质上，2

还有要知道需要做的膜厚，3

还要知道光刻胶的分辨率

4还有需要正胶还是负胶，5

需要国产还是进口的

27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！

A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex

NR21-20000P ，。

28．有没有了解一款美国Futurrex

NR9-250P的光刻胶，请教下？

A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre

光刻胶是世界第4大的电子化学品制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。

29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？

A 厚膜应用（thick

film applicati），主要是指高纵横比（Aspect

ratios）,高分辨率，高反差，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》

的光刻