光刻胶趋势

半导体光刻胶领域***市场规模趋于稳定， 2017年***市场约13.5亿美元；***约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受***半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计***光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。

光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；显影之后，NR9-3000PY展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF处理。光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商认证采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。

总体上，光刻胶行业得到国家层面上的政策支持。《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”；国家重点支持的高新技术领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术”；四、对准（Alignment）光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大***技术之一，一般要求对准精度为***细线宽尺寸的1/7---1/10。光刻技术（包括光刻胶）是《中国制造 2025》重点领域。

PR1-2000A1NR9 1500PY光刻胶公司

4,曝光

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

曝光时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在曝光后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）

光刻胶

按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

叠氮醌类化合物，经光照后,会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按曝光波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。

按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。

PCB

光刻胶

主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称为抗蚀刻/线路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。

LCD

包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD 触摸屏用光刻胶、TFT-LCD 正性光刻胶等产品。

彩色滤光片是LCD

实现彩色显示的关键器件，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是***材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。

半导体光刻胶

包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、聚酰YA光刻胶、掩膜板光刻胶等。