下游发展趋势

光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶京东方事实上，我国是在缺乏经验、缺乏***技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的***材料。2016年***半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。

NR77-20000PYNR9 3000P光刻胶公司

光刻胶存储条件及操作防护

光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后***清洗。

个人防护

眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。

皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。

服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。

呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循中国职业安全健康管理局标准的规定和ANSI美国***学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN 149的标准。