政策扶持
为促进我国光刻胶产业的发展,国家02重大专项给予了大力支持。今年5月,02重大专项实施管理办公室组织任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。
据悉,经过项目组全体成员的努力攻关,完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发,达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明15项(包括国际5项),截止到目前,共获得授权10项(包括国际授权3项)。”日前,江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。
光刻胶编码 HS编码: |
3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释] |
中文描述: | 不含银的感光乳液剂 (CIQ码:301:液体) |
英文描述: | Non--0--silver light-sensitive emulsion agent |
申报要素: | 0.品牌类型;1.出口享惠情况;2.用途;3.包装;4.成分;5.是否含银;6.品牌;7.型号;8.是否有感光作用(以下要素仅上海海关要求)9.GTIN;其中,根据颜色的不同,可以将光刻胶分为黑色、红色、绿色、蓝色四种。10.CAS |
申报要素举例: | / 1.感光剂;2.用途:感光材料,用于喷墨制版机;3.包装:瓶装;4.成分:重氮树脂94%以上;5.无品牌;6.无型号 |
单位: | 千克 |
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光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其***干燥,增粘处理(涂底): 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,Si-OH, 表面有,亲水性,使用HMDS (H2C)6Si2NH 涂覆,熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,与光刻胶相亲。化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻,生产、检测、评价设备投资大,技术需要长期积累。
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4,曝光
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上,经与光刻版对准后,进行曝光,接受光照的光刻胶发生化学变化,形成潜影,
光源与光刻胶相匹配,也就是光源波长在光刻胶的敏感波段;
对准:指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准,这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
曝光时间,由光源强度,光刻胶种类,厚度等决定,
另外,为降低驻波效应影响,可在曝光后需进行烘焙,称为光后烘焙(PEB)
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