负性光刻胶
负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。
A、粘性增强负性光刻胶
粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长曝光。
粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到***的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。光刻胶的重要性在北京化工大学理学院院长聂俊眼里,我国虽然已成为世界半导体生产大国,但面板产业整体产业链仍较为落后。
i线曝光用粘度增强负胶系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。
g和h线曝光用粘度增强负胶系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。
B、加工负胶
加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长曝光。
加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到***的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间,同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1。
用于i线曝光的加工负胶系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY,NR9i-3000PY有下面的优势: 1. 比较高的光刻速度,可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。有***提出,尽管国产光刻胶在面板一时用不起来,但***还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。
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NR77-25000P,RD8
品牌
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化,
不必使用RIE
加工器件的永
组成
(OLED显示
器上的间隔
区)凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围:
0.5~20.0 μm
i、g和h线曝光波长
对生产效率的影响:
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增强
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm~2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐热温度
PR1-500A
0.4μm~0.9μm
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