美国Futurrex的光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。5-1um，3,前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。

下游发展趋势

光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的***材料。2016年***半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加

PC6-16000

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm

NR9-3000PY

11．请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，谢谢！

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因为有很高的AR比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的Color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

A 美国Futurrex公司，专门生产应用化学品的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING，那种适合？？

A 推荐美国Futurrex，PC4-10000。

17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以试用下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。