常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC?97%以上，主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC?95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。

纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。

在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多***的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。

这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。

节能方面的应用：利用良好的导热和热稳定性，作热交换器，燃耗减少20%，节约燃料35%，使生产率提高20-30%。特别是矿山选厂用排放输送管道的内放，其耐磨程度是普通耐磨材料的6—7倍。碳化硅的工业制法是用石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。

碳化硅是一种新型的强复合脱氧剂，可以在炼钢过程中有效的将钢水中的氧气处理较终起到脱氧的作用，使脱氧时间缩短，节约能源，提髙炼钢效率，提髙钢的质量，降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，碳化硅是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧和原工艺相比各项理化性能更加稳定脱氧效果好。