显影是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。常见的显影方法是旋转、喷雾、浸润，然后显影。硅片用去离子水冲洗后甩干。非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生化学反应，在显影时也就不会存在这样的酸碱中和，因此非曝光区的光刻胶被保留下来。经过曝光的正胶是逐渐溶解的，中和反应只在光刻胶的表面进行，因此正胶受显影液的影响相对比较小。对于负胶来说非曝光区的负胶在显影液中首先形成凝胶体，然后再分解，这就使得整个负胶层都被显影液浸透。在被显影液浸透之后，曝光区的负胶将会膨胀变形。


所谓显影点，发生在光阻曝光后以显影液显影的过程中，当所要去除的所有光阻区域都恰好去除时，这个作业点就是显影点。显影点的前后，受到显影设备速度、喷压、药液温度、药液浓度、光阻特性等影响。要获得良好显影效果，保证显影良好、分辨率恰当，除了要有良好曝光，一般都会将显影点设在设备长度50~80%的位置，以免显影过度或不足。

在盛有电镀液的镀槽中，经过清理和特殊预处理的待镀件作为阴极，用镀覆金属制成阳极，两极分别与直流电源的正极和负极联接。

电镀液由含有镀覆金属的化合物、导电的盐类、缓冲剂、pH调节剂和添加剂等的水溶液组成。通电后，电镀液中的金属离子，在电位差的作用下移动到阴极上形成镀层。阳极的金属形成金属离子进入电镀液，以保持被镀覆的金属离子的浓度。