多晶硅电阻膜的准确阻值
此外,与单晶硅压阻相比,多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作,如在介电体(SiO2、Si3N4)上。其制备过程与常规半导体工艺兼容,且无PN结隔离问题,因而适合更高工作温度(t≥200℃)场合使用。在相同工作温度下,多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比,可更有效地抑制温度漂移,有利于长期稳定性的实现。多晶硅电阻膜的准确阻值可以通过光刻手段获得。 综上所述,多晶硅膜具有较宽的工作温度范围(-60~+300℃),可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点。所以在研制微传感器和微执行器时,利用多晶硅膜这些电学特性,有时比只用单晶硅更有价值。例如,利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片,在其上覆盖一层介质膜SiO2,再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型前室压力传感器选型,发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势,其工作高温至少可达200℃,甚至300℃;低温为-60℃。
版权所有©2025 天助网